高純度SiC原料を使用したシリコン含浸炭化ケイ素成形体です。半導体熱処理用部材として使用されております。原料から完成品までの一貫した製造工程と、 3mを超す大型品や高強度接合法による複雑形状品の製造に独自の技術を有しております。